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　　中国证券网讯（记者 李兴彩）在24日的“2016中国半导体市场年会暨第五届中国集成电路产业创新大会”上，与会领导及嘉宾发言一致显示，中国集成电路产业发展将呈现三大新趋势：自主创新将被大力扶持、存储器是今年的发展重点、超越摩尔领域将成为新热点。

　　中科院院士倪光南、中科院微电子所所长叶甜春一致认为，中国集成电路发展要走自主创新的道路。叶甜春强调在中国集成电路有了一定基础后，提倡自主创新，尤其是原始创新和集中创新是当务之急；倪光南则对比联想、华为的发展，表示中国集成电路还是要走自主创新道路。

　　存储器将是今年的发展重点。国家集成电路产业投资基金股份有限公司（下称大基金）总经理丁文武表示，大基金今年的重点之一就是支持存储器发展。据悉，武汉新芯二期存储器项目、江苏淮安德科玛图像传感器IDM项目、重庆AOS12寸MOSFET功率半导体项目均将于3月份启动。

　　基于物联网的发展，超越摩尔领域正在受到越来越多的关注。工信部副部长怀进鹏多次提到要大力发展超越摩尔领域相关技术和产品，叶甜春则表示IC未来的发展方向在物联网，MEMS与集成电路的融合将是趋势。

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